Приборы для измерения параметров
полупроводниковых приборов и
интегральных микросхем

Л2-27

 

Испытатель СВЧ диодов

Пределы измерения соотношения динамических
сопротивлений диодов
в рабочей точке Rдин:

(100¸5000) Ом с d: ±5%;

(100¸1000) Ом ;

(1000¸5000) Ом с d: ±20%.

Fизм: (2±0,4) кГц.  g: 2¸5 с d: ±15%.

Режим измерения: Iсм: (3¸30) мкА.

Габариты: 385х225х180 мм. Масса: 7,5 кг.

Л2-54

 

Испытатель маломощных
транзисторов и диодов

Fизм: 1 кГц.

Пределы измерения: Iобр: (0,01¸100) мкА.

h21б: 0,9¸1 (ток транз.). h22б: (0,4¸4) мкСм с d: ±5%.

Режим измерения: Iэ: 1 мА. Uк: 4,5 В.

Iпр:

(5-100) МА - при батарейном питании;

(5-300) мА - при питании от сети.

Uобр: (10¸400) В. Uпр: (0,1¸3) В (диоды).
Uст:
(3
¸30) В (стабилитроны).

Габариты: 300х205х185 мм. Масса: 6 кг.

Заменяет: Л2-1, Л2-18, Л2-22/1, Л2-23
Л2-60

 

Испытатель цифровых
интегральных схем

U-: ±(0,1¸30) В с d: ±4%. Iвх: (0,03¸3) мА.

Режим измерения:
установка логического нуля U:
±(0,2¸3) В;
установка логической единицы U1: ±(U0¸10) В.

Кол-во выводов проверяемых ИЛС: 16.

Габариты: 300х205х125 мм. Масса: 5 кг.

Заменяет: Л2-41
Л2-68

 

Измеритель параметров
маломощных транзисторов

ØКОП

Fизм:

(100±0,5) МГц;

(300±1,5) МГц.

Пределы измерения модуля h21э:
(1
¸32) с d: ±(0,1 h21э+2 ед.сч.).

Uреж: (1¸29,9) В с Uдиск :0,1 В. Iреж: (0,5¸49,9) мА.

Габариты: 475х480х166 мм. Масса: 25 кг.

Заменяет: Л2-9, Л2-12, Л2-43
Л2-69

 

Измеритель статических
параметров мощных транзисторов
и диодов

ØКОП

ØЦифровой отсчет

Диапазон измерения:

(2¸9990) – малосигнальный коэффициент
передачи тока (
h21э+1);

(5¸9990) – статический коэффициент
передачи тока (
h21э+1);

(1×10-7¸1×10-1) А – обратные токи Iкбо, Iэбо,
начальный ток Iкэ нач транзисторов,
обратный ток диодов;

(0,05¸10) В – Uбэнас, Uкэнас, прямое напряжение диодов.

Uреж: (0,5¸200) В. Iреж: (0,1¸50) А.

Габариты: 480х488х175 мм (каждого из двух блоков).   
Масса:
45 кг (всего комплекта).

Заменяет: Л2-42
Л2-76

 

Измеритель параметров транзисторов и диодов

ØОпределяет работоспособность биполярных транзисторов малой, средней и большой мощности, диодов и стабилитронов путем основных измерений статических параметров

ØАвтоматический выбор диапазонов измерения

Диапазон измерения:

Iкбо: 10 мкА¸10 мА. Iобр: 10 нА¸10 мА. Uпр: (0,1¸5) В.

Uпр: (3¸180) В с d: ±5%.

Режимы изменерения:

Uобр: (10¸400) В. Uк-б: (10¸400) В. Iпр: 0,2 мА¸1 А.

Iстаб: 0,2 мА ¸1А (при Uстаб: £ 30 В). Iстаб: (1¸10) мА (при Uстаб: > 30 В).

Габариты: 173х312х328 мм. Масса: 10 кг.

Л2-77

 

Измеритель параметров маломощных транзисторов и диодов

ØОпределяет работоспособность биполярных транзисторов малой, средней и большой мощности, диодов и стабилитронов путем основных измерений статических параметров

ØАвтоматический выбор диапазонов измерения

Диапазон измерения:

IR: 4 нА¸1 мА с d: ±(0,05Iх+1 ед.сч.).

Iкбо: 4 нА¸10 мА с d: ±(0,05Iх+1 ед.сч.).

UF: (0,1¸5) В с d: ±(5%+1 ед.сч.). UZ: (3¸150) В с d: ±(5%+1 ед.сч.).

(h21э+1): (5¸2000) с d: ±(0,05 hх+2 ед.сч.).  

Режимы изменерения:

Uсв: (10¸400) В. Iэ: 1 мА; 10мА. UR: (10¸400) В; IF: (5¸300) МА

Габариты: 93х312х308 мм. Масса: 6 кг.

Л2-78

Измеритель параметров маломощных полевых транзисторов

ØАвтоматический выбор диапазонов измерения

ØПроверка n- и p- канальных маломощных полевых транзисторов

G: (0,1¸100) мСм с d: ±8%. Uпор: (0,1¸30) В.

Iут.ст: (3×10-10¸10-3) А с d: ± (4¸8)%.

Iут.затв: (0,3×10-12¸10-3) А с d: ±(4¸8)%. 

Пределы установки:      U: (0,1¸30) В. I: (5×10-6¸5×10-2) А.

Габариты: 173х312х328 мм. Масса: 10 кг.

Заменяет: Л2-31, Л2-38, Л2-46, Л2-48, Л2-64

Л2-80

 

Измеритель статических параметров полевых транзисторов

ØКОП

ØИзмерение параметров полевых транзисторов на постоянном токе и в импульсном режиме

Uпор: (0,1¸30) В. Iут.затв: 0,3 пА¸10 мкА. Iст: 0,3 пА¸100 мА.

Iост: 0,3 пА¸100 мА. Iимп: (0,1¸30) А. G: (0,1¸3000) мСм.

Rст: (0,3¸1000) Ом.

Габариты: 488х475х240 мм. Масса: 30 кг.

Заменяет: Л2-31, Л2-38, Л2-46, Л2-48, Л2-64, Л2-78

 

Радиоизмерительные приборы (РИП)

(Б) Источники питания
(В) Приборы для измерения напряжения
(Г) Генераторы измерительные
(Д) Аттенюаторы и приборы для измерения ослабления
(Е) Приборы для измерения параметров компонентов цепей с сосредоточенными постоянными
(И) Приборы для импульсных измерений
(ИКМ) Приборы для систем связи с ИКМ
(К) Установки измерительные комплексные
(Л) Приборы для измерения параметров полупроводниковых приборов и интергральных микросхем
(М) Приборы для измерения мощности
(Н) Калибраторы, меры
(ОВЛ) Приборы для измерения параметров волоконно-оптических линий связи
(П) Приборы для измерения плотности поля и плотности потока энергии
(Р) Приборы для измерени параметров элементов и трактов с распределенными постоянными
(С) Приборы для наблюдения, измерения и исследования формы сигналов и спектра
(У) Усилители измерительные
(Ф) Приборы для изменения разности фаз и времени запаздывания
(Х) Приборы для исследования АЧХ и характеристик шума
(Ц) Диагностическая аппаратура для цифровых схем
(Ч) Приборы для измерения частоты
(Ш) Приборы для измерения электрических и магнитных свойств материалов на низких частотах
(Я) Блоки радиоизмерительных приборов
(СП) Специальные приборы
Электроизмерительные приборы (ЭИП)
Меры электрических и магнитных величин
Приборы сравнения электрических величин
Приборы электроизмерительные переносные
Щитовые приборы
Преобразователи измерительные
Приборы для механических и теплотехнических измерений (МТИ)
Приборы для измерения давления
Приборы для физических исследований
Метрологические комплексы (МК)
Стационарные метрологические комплексы
Подвижные метрологические комплексы
Модульные приборы
Модульные и сопутствующие приборы